199D105X9035A1V1E3は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーは199D105X9035A1V1E3のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
199D105X9035A1V1E3をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
199D105X9035A1V1E3
- 部品型番:
- 199D105X9035A1V1E3
- 説明:
- CAP TANT 1UF 35V 10% RADIAL
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 28802 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- 199D105X9035A1V1E3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - 定格: | 35V |
| タイプ: | Conformal Coated |
| 公差: | ±10% |
| サイズ/寸法: | 0.173" Dia (4.40mm) |
| シリーズ: | TANTALEX®, 199D |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | Radial |
| 他の名前: | 718-1204 |
| 運転温度: | -55°C ~ 125°C |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 9 Weeks |
| メーカーサイズコード: | A |
| 温度@生涯。: | 1000 Hrs @ 85°C |
| リード間隔: | 0.100" (2.54mm) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 高さ - 着席（最大）: | 0.280" (7.11mm) |
| 特徴: | General Purpose |
| 故障率: | - |
| ESR（等価直列抵抗）: | - |
| 詳細な説明: | 1µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial |
| キャパシタンス: | 1µF |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの199D105X9035A1V1E3
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量