ZXMN3AM832TA
ZXMN3AM832TA
Modello di prodotti:
ZXMN3AM832TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
28499 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
ZXMN3AM832TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP (3x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 2.5A, 10V
Potenza - Max:1.13W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-VDFN Exposed Pad
Altri nomi:ZXMN3AM832CT
ZXMN3AM832TA-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.9nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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