Y1365V0205QT0U è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per Y1365V0205QT0U, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per Y1365V0205QT0U via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista Y1365V0205QT0U con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
Y1365V0205QT0U
- Modello di prodotti:
- Y1365V0205QT0U
- fabbricante:
- Vishay Precision Group
- Descrizione:
- RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 31240 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- Y1365V0205QT0U.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tolleranza: | ±0.02% |
| Coefficiente di temperatura: | ±2ppm/°C |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 3.99mm) |
| Serie: | SMN |
| Resistore-Ratio-Drift: | ±0.5 ppm/°C |
| Rapporto di resistenza del resistore: | ±0.01% |
| Resistenza (ohm): | 1k, 10k |
| Potenza per elemento: | 100mW |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Numero di resistori: | 4 |
| Numero di pin: | 8 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 28 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altezza - In sede (max): | 0.073" (1.86mm) |
| Descrizione dettagliata: | 1k, 10k Ohm ±0.02% 100mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±2ppm/°C 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo di circuito: | Isolated |
| applicazioni: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per Y1365V0205QT0U
Latest Notizie
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari