W971GG6KB25I TR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per W971GG6KB25I TR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per W971GG6KB25I TR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista W971GG6KB25I TR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
W971GG6KB25I TR
- Modello di prodotti:
- W971GG6KB25I TR
- fabbricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descrizione:
- IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48751 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- W971GG6KB25I TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 15ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 84-WBGA (8x12.5) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 84-TFBGA |
| Altri nomi: | W971GG6KB25I TR-ND W971GG6KB25ITR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-WBGA (8x12.5) |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Tempo di accesso: | 400ps |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per W971GG6KB25I TR
Latest Notizie
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS