VUO190-12NO7 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per VUO190-12NO7, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per VUO190-12NO7 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista VUO190-12NO7 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
VUO190-12NO7
- Modello di prodotti:
- VUO190-12NO7
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- RECT BRIDGE 3PH 1200V PWS-E-1
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52243 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- VUO190-12NO7.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | 1.2kV |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.07V @ 80A |
| Tecnologia: | Standard |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PWS-E1 |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | PWS-E1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Three Phase |
| Descrizione dettagliata: | Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.2kV Chassis Mount PWS-E1 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 200µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 248A |
| Numero di parte base: | VUO190 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VUO190-12NO7
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico