VND10B è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per VND10B, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per VND10B via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista VND10B con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
VND10B
- Modello di prodotti:
- VND10B
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- IC SSR HISIDE 2CH PENTAWATT VERT
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 22089 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- VND10B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Tensione - Carico: | 6 V ~ 26 V |
| Tipo di interruttore: | General Purpose |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 5-PENTAWATT |
| Serie: | - |
| Rds On (Typ): | 100 mOhm (Max) |
| Rapporto - Ingresso: Uscita: | 1:1 |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | Pentawatt-5 (Vertical, Bent and Staggered Leads) |
| Tipo di uscita: | N-Channel |
| Configurazione di uscita: | High Side |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Numero di uscite: | 2 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interfaccia: | On/Off |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Caratteristiche: | Status Flag |
| Protezione guasti: | Open Load Detect, Over Temperature |
| Corrente - uscita (max): | 3.4A |
| Numero di parte base: | VND10B |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VND10B
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
VND10B-12-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE DUAL PENTAWATT | Inchiesta |
 |
VND10BSPTR-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | Inchiesta |
 |
VND05B-12-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Inchiesta |
 |
VND05B-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Inchiesta |
|
VND10BSP-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | Inchiesta |
|
VND05BSPTR-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | Inchiesta |
|
VND05BSP | STMicroelectronics | IC SSR 26V ISO 10POWERSOIC | Inchiesta |
|
VND05B-11-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Inchiesta |
|
VND05BSP-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | Inchiesta |
|
VND05B | STMicroelectronics | IC SSR HISIDE 2CH HEPTAWATT VERT | Inchiesta |
 |
VND10N06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | Inchiesta |
 |
VND10B(011Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | Inchiesta |
|
VND10BSP13TR | STMicroelectronics | IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10 | Inchiesta |
|
VND10B-11-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT HRZ | Inchiesta |
 |
VND10B-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT VRT | Inchiesta |
|
VND10B(012Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | Inchiesta |
|
VND05B(012Y) | STMicroelectronics | RELAY SSR 2-CH HI-SIDE HEPTAWAT7 | Inchiesta |
|
VND05B(011Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Inchiesta |
|
VND10BSP | STMicroelectronics | IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10 | Inchiesta |
|
VND05BSP13TR | STMicroelectronics | IC SSR 26V HI-SIDE POWERSO-10 | Inchiesta |
Latest Notizie
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro