VLS201612HBX-R33M-1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per VLS201612HBX-R33M-1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per VLS201612HBX-R33M-1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista VLS201612HBX-R33M-1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
VLS201612HBX-R33M-1
- Modello di prodotti:
- VLS201612HBX-R33M-1
- fabbricante:
- TDK Corporation
- Descrizione:
- FIXED IND 330NH 4.34A 35 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 32047 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- VLS201612HBX-R33M-1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±20% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 0806 (2016 Metric) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | VLS-HBX-1 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 0806 (2016 Metric) |
| Altri nomi: | 445-173017-2 VLS201612HBX-R33M-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Metal |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 1MHz |
| Induttanza: | 330nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 330nH Shielded Wirewound Inductor 4.34A 35 mOhm Max 0806 (2016 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 35 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 4.34A |
| Corrente - saturazione: | 3.87A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VLS201612HBX-R33M-1
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione