VLF252012MT-R47N-CA è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per VLF252012MT-R47N-CA, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per VLF252012MT-R47N-CA via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista VLF252012MT-R47N-CA con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
VLF252012MT-R47N-CA
- Modello di prodotti:
- VLF252012MT-R47N-CA
- fabbricante:
- TDK Corporation
- Descrizione:
- FIXED IND 470NH 1.89A 29 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 36878 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- VLF252012MT-R47N-CA.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±30% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | VLF-M-CA |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 1008 (2520 Metric) |
| Altri nomi: | 445-174085-2 VLF252012MT-R47N-CA-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Ferrite |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 1MHz |
| Induttanza: | 470nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | - |
| Descrizione dettagliata: | 470nH Shielded Wirewound Inductor 3.45A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 29 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 3.45A |
| Corrente - saturazione: | 2.1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VLF252012MT-R47N-CA
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico