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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR9112J0L
UNR9112J0L
UNR9112J0L
Modello di prodotti:
UNR9112J0L
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
38540 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
UNR9112J0L.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SSMini3-F1
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Potenza - Max:125mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-89, SOT-490
Altri nomi:UN9112J-(TX)
UN9112J-TX
UN9112JTR
UN9112JTR-ND
UNR9112J0LTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione:80MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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