UMB4NFHATN
Modello di prodotti:
UMB4NFHATN
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
40208 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.UMB4NFHATN.pdf2.UMB4NFHATN.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:UMT6
Serie:Automotive, AEC-Q101
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:UMB4NFHATNDKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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