TWAE108M050CBEZ0700 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per TWAE108M050CBEZ0700, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per TWAE108M050CBEZ0700 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista TWAE108M050CBEZ0700 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
TWAE108M050CBEZ0700
- Modello di prodotti:
- TWAE108M050CBEZ0700
- fabbricante:
- AVX Corporation
- Descrizione:
- CAP TANT 1000UF 20% 50V AXIAL
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44572 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TWAE108M050CBEZ0700.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 50V |
| Digitare: | Hermetically Sealed |
| Tolleranza: | ±20% |
| Dimensioni / Dimension: | 0.375" Dia x 1.062" L (9.52mm x 26.97mm) |
| Serie: | TWA |
| Giudizi: | COTS |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | Axial |
| Altri nomi: | 478-9682 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Codice dimensioni produttore: | E |
| Durata alla temp.: | - |
| Distanza conduttori: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | High Reliability, Wet Tantalum |
| Tasso di fallimento: | - |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 700 mOhm |
| Descrizione dettagliata: | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 50V Axial 700 mOhm |
| Capacità: | 1000µF |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TWAE108M050CBEZ0700
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash