TSM061NA03CR RLG
TSM061NA03CR RLG
Modello di prodotti:
TSM061NA03CR RLG
fabbricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
24471 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
TSM061NA03CR RLG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PDFN (5x6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6.1 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):78W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:TSM061NA03CR RLGDKR
TSM061NA03CR RLGDKR-ND
TSM061NA03CRRLGDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:28 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1133pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 88A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:88A (Tc)
Email:[email protected]

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