TPH3300CNH,L1Q
TPH3300CNH,L1Q
Modello di prodotti:
TPH3300CNH,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55940 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
TPH3300CNH,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 300µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 57W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPH3300CNH,L1Q(M
TPH3300CNH,L1QTR
TPH3300CNH,L1QTR-ND
TPH3300CNHL1QTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:N-Channel 150V 18A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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