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TPC8115(TE12L,Q,M)
- Modello di prodotti:
- TPC8115(TE12L,Q,M)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 26771 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.TPC8115(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8115(TE12L,Q,M).pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9130pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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