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TN0106N3-G-P013
- Modello di prodotti:
- TN0106N3-G-P013
- fabbricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 20928 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TN0106N3-G-P013.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 5 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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