TE28F640P30T85A è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per TE28F640P30T85A, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per TE28F640P30T85A via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista TE28F640P30T85A con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
TE28F640P30T85A
- Modello di prodotti:
- TE28F640P30T85A
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 34769 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- TE28F640P30T85A.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 85ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 2 V |
| Tecnologia: | FLASH - NOR |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 56-TSOP (14x20) |
| Serie: | StrataFlash™ |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Altri nomi: | 873905 873905-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NOR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 40MHz 85ns 56-TSOP (14x20) |
| Frequenza dell'orologio: | 40MHz |
| Numero di parte base: | 28F640P30 |
| Tempo di accesso: | 85ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TE28F640P30T85A
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash