STPSC6H12B-TR1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per STPSC6H12B-TR1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per STPSC6H12B-TR1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista STPSC6H12B-TR1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
STPSC6H12B-TR1
- Modello di prodotti:
- STPSC6H12B-TR1
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 6A DPAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47659 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.STPSC6H12B-TR1.pdf2.STPSC6H12B-TR1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.9V @ 6A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 497-14189-2 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 6A Surface Mount DPAK |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 400µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 6A |
| Capacità a Vr, F: | 330pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per STPSC6H12B-TR1
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC