STP5N60M2
STP5N60M2
Modello di prodotti:
STP5N60M2
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
40870 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
STP5N60M2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 1.85A, 10V
Dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:497-14282-5
STP5N60M2-ND
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 3.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.7A (Tc)
Email:[email protected]

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