STD2NK60Z-1
STD2NK60Z-1
Modello di prodotti:
STD2NK60Z-1
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
20888 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
STD2NK60Z-1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-PAK
Serie:SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:8 Ohm @ 700mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:497-12555-5
STD2NK60Z-1-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 1.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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