STD19N3LLH6AG
STD19N3LLH6AG
Modello di prodotti:
STD19N3LLH6AG
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
41825 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
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introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:STripFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:497-16512-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:321pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 10A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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