STB60NE06L-16T4
STB60NE06L-16T4
Modello di prodotti:
STB60NE06L-16T4
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34919 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
STB60NE06L-16T4.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:STripFET™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4150pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 60A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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