SST38VF6402-90-5I-EKE è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SST38VF6402-90-5I-EKE, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SST38VF6402-90-5I-EKE via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SST38VF6402-90-5I-EKE con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SST38VF6402-90-5I-EKE
- Modello di prodotti:
- SST38VF6402-90-5I-EKE
- fabbricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 25215 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 10µs |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-TSOP |
| Serie: | SST38 |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Altri nomi: | SST38VF6402905IEKE |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Produttore tempi di consegna standard: | 5 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 90ns 48-TSOP |
| Numero di parte base: | SST38VF6402 |
| Tempo di accesso: | 90ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SST38VF6402-90-5I-EKE
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash