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SQJB68EP-T1_GE3
- Modello di prodotti:
- SQJB68EP-T1_GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 36361 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SQJB68EP-T1_GE3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 92 mOhm @ 4A, 10V |
| Potenza - Max: | 27W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | SQJB68EP-T1_GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 280pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SQJB68EP-T1_GE3
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