SP6661EN-L è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SP6661EN-L, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SP6661EN-L via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SP6661EN-L con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SP6661EN-L
- Modello di prodotti:
- SP6661EN-L
- fabbricante:
- Exar Corporation
- Descrizione:
- IC REG SWITCHD CAP INV 8SOIC
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57321 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SP6661EN-L.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Uscita (min / fissa): | -Vin, 2Vin |
| Tensione - uscita (max): | - |
| Tensione - Ingresso (min): | 1.5V |
| Tensione - Ingresso (max): | 5.3V |
| Topologia: | Charge Pump |
| raddrizzatore sincrono: | No |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo di uscita: | Fixed |
| Configurazione di uscita: | Positive or Negative |
| Altri nomi: | 1016-1217-5 SP6661ENL |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Numero di uscite: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funzione: | Ratiometric |
| Frequenza - commutazione: | 120kHz, 900kHz |
| Descrizione dettagliata: | Charge Pump Switching Regulator IC Positive or Negative Fixed -Vin, 2Vin 1 Output 200mA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Corrente - Uscita: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SP6661EN-L
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash