SIT9003AC-8-25DB è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SIT9003AC-8-25DB, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SIT9003AC-8-25DB via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SIT9003AC-8-25DB con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SIT9003AC-8-25DB
- Modello di prodotti:
- SIT9003AC-8-25DB
- fabbricante:
- SiTime
- Descrizione:
- OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 2.5V
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 40804 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.SIT9003AC-8-25DB.pdf2.SIT9003AC-8-25DB.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 2.5V |
| Digitare: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum larghezza di banda: | ±0.25%, Center Spread |
| Dimensioni / Dimension: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Serie: | SiT9003 |
| Giudizi: | - |
| Tipo programmabile: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD, No Lead |
| Produzione: | LVCMOS, LVTTL |
| temperatura di esercizio: | -20°C ~ 70°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza: | 0.039" (1.00mm) |
| Funzione: | - |
| Stabilità di frequenza (Totale): | ±50ppm |
| stabilità di frequenza: | ±50ppm |
| Descrizione dettagliata: | XO (Standard) LVCMOS, LVTTL 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 2.5V 4-SMD, No Lead |
| Corrente - Alimentazione (max): | 4.1mA |
| Corrente - Alimentazione (Disabilita) (max): | 2.2µA |
| Base Resonator: | MEMS |
| Disponibile Gamma di frequenza: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIT9003AC-8-25DB
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT9003AC-8-25DD | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25SB | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25SO | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25EQ | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18SB | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25DQ | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18SD | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18EQ | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18EB | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18ED | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25ED | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18EO | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18DO | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25DO | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25EB | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25SD | SiTime | OSC PROG LVCMOS CTR SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18DQ | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18SQ | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 1.8V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-25EO | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 2.5V | Inchiesta |
|
SIT9003AC-8-18SO | SiTime | OSC PROG LVCMOS DWN SPRD 1.8V | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi