SIT8009BI-21-18S-125.000000D è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SIT8009BI-21-18S-125.000000D, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SIT8009BI-21-18S-125.000000D via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SIT8009BI-21-18S-125.000000D con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SIT8009BI-21-18S-125.000000D
- Modello di prodotti:
- SIT8009BI-21-18S-125.000000D
- fabbricante:
- SiTime
- Descrizione:
- OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48496 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SIT8009BI-21-18S-125.000000D.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | MEMS (Silicon) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Stile involucro esterno: | 1.8V |
| Serie: | SiT8009 |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Giudizi: | - |
| Polarizzazione: | 4-SMD, No Lead |
| Produzione: | Standby (Power Down) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 5 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SIT8009BI-21-18S-125.000000D |
| Altezza - In sede (max): | 0.031" (0.80mm) |
| Tolleranza di frequenza: | ±20ppm |
| Frequenza - Uscita 1: | 1.3µA |
| Frequenza: | 125MHz |
| Descrizione espansione: | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 5.6mA Standby (Power Down) |
| Descrizione: | OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD |
| Corrente - Alimentazione (max): | LVCMOS |
| Corrente - Alimentazione (Disabilita) (max): | 5.6mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIT8009BI-21-18S-125.000000D
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato