SIT3821AI-2D-33EB è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SIT3821AI-2D-33EB, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SIT3821AI-2D-33EB via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SIT3821AI-2D-33EB con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SIT3821AI-2D-33EB
- Modello di prodotti:
- SIT3821AI-2D-33EB
- fabbricante:
- SiTime
- Descrizione:
- OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 46881 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.SIT3821AI-2D-33EB.pdf2.SIT3821AI-2D-33EB.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 3.3V |
| Digitare: | VCXO |
| Spread Spectrum larghezza di banda: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Serie: | SiT3821 |
| Giudizi: | - |
| Tipo programmabile: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, No Lead |
| Produzione: | LVDS |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza: | 0.039" (1.00mm) |
| Funzione: | Enable/Disable |
| Stabilità di frequenza (Totale): | - |
| stabilità di frequenza: | ±10ppm |
| Descrizione dettagliata: | VCXO LVDS 1MHz ~ 220MHz Programmable Oscillator 3.3V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Corrente - Alimentazione (max): | 55mA |
| Corrente - Alimentazione (Disabilita) (max): | 35mA |
| Base Resonator: | MEMS |
| Disponibile Gamma di frequenza: | 1MHz ~ 220MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIT3821AI-2D-33EB
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3821AI-2D-33EE | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NE | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NZ | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NM | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25EY | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NY | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33EY | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33EM | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NB | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NH | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25EZ | SiTime | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NX | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33EH | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33NE | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33EX | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33EZ | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-25NG | SiTIME | OSC PROG LVDS 2.5V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33NB | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33EG | SiTime | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM EN/DS | Inchiesta |
|
SIT3821AI-2D-33NG | SiTIME | OSC PROG LVDS 3.3V 10PPM SMD | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico