SIM3L156-C-GM è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SIM3L156-C-GM, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SIM3L156-C-GM via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SIM3L156-C-GM con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SIM3L156-C-GM
- Modello di prodotti:
- SIM3L156-C-GM
- fabbricante:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Descrizione:
- IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64QFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38466 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.8 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 64-QFN (9x9) |
| Velocità: | 50MHz |
| Serie: | SiM3L1xx |
| Dimensioni RAM: | 32K x 8 |
| Tipo di memoria di programma: | FLASH |
| Dimensioni memoria programma: | 128KB (128K x 8) |
| Periferiche: | Brown-out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, WDT |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 336-2338 SIM3L156-B-GM SIM3L156CGM |
| Tipo oscillatore: | Internal |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Numero di I / O: | 51 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2 (1 Year) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dimensioni EEPROM: | - |
| Descrizione dettagliata: | ARM® Cortex®-M3 SiM3L1xx Microcontroller IC 32-Bit 50MHz 128KB (128K x 8) FLASH 64-QFN (9x9) |
| convertitori di dati: | A/D 23x10/12b, D/A 1x10b |
| Dimensione nucleo: | 32-Bit |
| core Processor: | ARM® Cortex®-M3 |
| Connettività: | I²C, IrDA, SmartCard, SPI, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIM3L156-C-GM
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico