SI7938DP-T1-GE3
SI7938DP-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7938DP-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
22534 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SI7938DP-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.8 mOhm @ 18.5A, 10V
Potenza - Max:46W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8 Dual
Altri nomi:SI7938DP-T1-GE3TR
SI7938DPT1GE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A
Numero di parte base:SI7938
Email:[email protected]

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