SI7212DN-T1-E3
SI7212DN-T1-E3
Modello di prodotti:
SI7212DN-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
32017 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SI7212DN-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1.6V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:36 mOhm @ 6.8A, 10V
Potenza - Max:1.3W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8 Dual
Altri nomi:SI7212DN-T1-E3CT
SI7212DNT1E3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.9A
Numero di parte base:SI7212
Email:[email protected]

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