SI6993DQ-T1-E3
SI6993DQ-T1-E3
Modello di prodotti:
SI6993DQ-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29601 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SI6993DQ-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:31 mOhm @ 4.7A, 10V
Potenza - Max:830mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:SI6993DQ-T1-E3CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A
Numero di parte base:SI6993
Email:[email protected]

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