SI5332B-C-GM2R è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SI5332B-C-GM2R, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SI5332B-C-GM2R via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SI5332B-C-GM2R con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SI5332B-C-GM2R
- Modello di prodotti:
- SI5332B-C-GM2R
- fabbricante:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Descrizione:
- BASE/BLANK PROTOTYPING DEVICE: 8
- Stato senza piombo:
- A norma RoHS
- Quantità di magazzino:
- 38329 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.SI5332B-C-GM2R.pdf2.SI5332B-C-GM2R.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 1.71 V ~ 3.63 V |
| Digitare: | Clock Generator |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 40-QFN (6x6) |
| Serie: | MultiSynth™ |
| Stato RoHS: | RoHS Compliant |
| Rapporto - Ingresso: Uscita: | 3:8 |
| Contenitore / involucro: | 40-VQFN Exposed Pad |
| PLL: | Yes |
| Produzione: | HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C |
| Numero di circuiti: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 2 (1 Year) |
| Ingresso: | LVCMOS, Crystal |
| Frequenza - Max: | 200MHz |
| Divisore / moltiplicatore: | Yes/No |
| Differenziale - Ingresso: Uscita: | Yes/Yes |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI5332B-C-GM2R
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico