SI3447BDV-T1-E3 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SI3447BDV-T1-E3, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SI3447BDV-T1-E3 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SI3447BDV-T1-E3 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SI3447BDV-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI3447BDV-T1-E3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 31613 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SI3447BDV-T1-E3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | SI3447BDV-T1-E3TR SI3447BDVT1E3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI3447BDV-T1-E3
Latest Notizie
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS