SI1039X-T1-E3
SI1039X-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1039X-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
44459 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SI1039X-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:165 mOhm @ 870mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):170mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:SI1039X-T1-E3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:P-Channel 12V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:870mA (Ta)
Email:[email protected]

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