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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > SG2003J-883B
SG2003J-883B
SG2003J-883B
Modello di prodotti:
SG2003J-883B
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
52617 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SG2003J-883B.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:7 NPN Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:16-CDIP
Serie:-
Potenza - Max:-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi:1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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