S2G-E3/1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per S2G-E3/1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per S2G-E3/1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista S2G-E3/1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
S2G-E3/1
- Modello di prodotti:
- S2G-E3/1
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 30257 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- S2G-E3/1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.15V @ 1.5A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 400V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-214AA (SMB) |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 2µs |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-214AA, SMB |
| Altri nomi: | S2G-E3/1-ND S2G-E3/1GI S2G-E3/1T S2G-E3/1TR S2G-E3/1TR-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 21 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 400V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1.5A |
| Capacità a Vr, F: | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Numero di parte base: | S2G |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per S2G-E3/1
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC