RUT5025FR820CS è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per RUT5025FR820CS, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per RUT5025FR820CS via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista RUT5025FR820CS con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
RUT5025FR820CS
- Modello di prodotti:
- RUT5025FR820CS
- fabbricante:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Descrizione:
- RES 0.82 OHM 1% 2/3W 2010
- Quantità di magazzino:
- 49277 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.RUT5025FR820CS.pdf2.RUT5025FR820CS.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tolleranza: | ±1% |
| Coefficiente di temperatura: | ±150ppm/°C |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 2010 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
| Serie: | RUT |
| Modalità Pannello: | 820 mOhms |
| Potenza (W): | 0.667W, 2/3W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 2010 (5025 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 155°C |
| Numero di terminazioni: | 2 |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Altezza - In sede (max): | 0.026" (0.66mm) |
| Caratteristiche: | Current Sense, Moisture Resistant |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione dettagliata: | 820 mOhms ±1% 0.667W, 2/3W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Current Sense, Moisture Resistant Thick Film |
| Composizione: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RUT5025FR820CS
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato