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RQ3L050GNTB
- Modello di prodotti:
- RQ3L050GNTB
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 37045 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.RQ3L050GNTB.pdf2.RQ3L050GNTB.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 61 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 14.8W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | RQ3L050GNTBCT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 40 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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