RNU1E470MDN1PX è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per RNU1E470MDN1PX, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per RNU1E470MDN1PX via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista RNU1E470MDN1PX con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
RNU1E470MDN1PX
- Modello di prodotti:
- RNU1E470MDN1PX
- fabbricante:
- Nichicon
- Descrizione:
- CAP ALUM POLY 47UF 20% 25V T/H
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 25442 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.RNU1E470MDN1PX.pdf2.RNU1E470MDN1PX.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 25V |
| Digitare: | Polymer |
| Tolleranza: | ±20% |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| Serie: | FPCAP, RNU |
| Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza: | 360mA @ 120Hz |
| Corrente di ondulazione @ alta frequenza: | 3.6A @ 100kHz |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | Radial, Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Durata alla temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Distanza conduttori: | 0.138" (3.50mm) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | 0.512" (13.00mm) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 24 mOhm |
| Descrizione dettagliata: | 47µF 25V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 24 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| Capacità: | 47µF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RNU1E470MDN1PX
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RNU1E470MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 47UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1E391MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1H470MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 47UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E680MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E331MDNASQPH | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E391MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E331MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E391MDNASQPH | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1H390MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 39UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1H470MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 47UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1H390MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 39UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1H680MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E470MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 47UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E331MDNASQ | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E331MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E391MDNASQ | Nichicon | CAP ALUM POLY 390UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1H680MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1H390MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 39UF 20% 50V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E680MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
|
RNU1E680MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 25V T/H | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico