RNU1A821MDN1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per RNU1A821MDN1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per RNU1A821MDN1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista RNU1A821MDN1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
RNU1A821MDN1
- Modello di prodotti:
- RNU1A821MDN1
- fabbricante:
- Nichicon
- Descrizione:
- CAP ALUM POLY 820UF 20% 10V T/H
- Quantità di magazzino:
- 23357 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.RNU1A821MDN1.pdf2.RNU1A821MDN1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 10V |
| Digitare: | Polymer |
| Tolleranza: | ±20% |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| Serie: | FPCAP, RNU |
| Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza: | 580mA @ 120Hz |
| Corrente di ondulazione @ alta frequenza: | 5.8A @ 100kHz |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Radial, Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Durata alla temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Distanza conduttori: | 0.138" (3.50mm) |
| Altezza - In sede (max): | 0.512" (13.00mm) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 10 mOhm |
| Descrizione dettagliata: | 820µF 10V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 10 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| Capacità: | 820µF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RNU1A821MDN1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RNU0J821MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 6.3V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C181MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1A100MDSASQ | Nichicon | CAP ALUM POLY 10UF 20% 10V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C101MDS1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C101MDS1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C101MDSASQPX | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
|
RNU0J681MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 6.3V T/H | Inchiesta |
|
RNU0J681MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 6.3V T/H | Inchiesta |
|
RNU0J821MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 6.3V T/H | Inchiesta |
|
RNU0J681MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 680UF 20% 6.3V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C101MDSASQJX | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1A122MDN1PH | Nichicon | CAP ALUM POLY 1200UF 20% 10V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1A122MDN1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 1200UF 20% 10V T/H | Inchiesta |
|
RNU0J821MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 6.3V T/H | Inchiesta |
|
RNU1A821MDN1PX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 10V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1A100MDS1 | Nichicon | CAP ALUM POLY 10UF 20% 10V T/H | Inchiesta |
 |
RNU1C101MDS1JX | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C101MDSASQ | Nichicon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
|
RNU1C181MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V T/H | Inchiesta |
|
RNU1A821MDN1KX | Nichicon | CAP ALUM POLY 820UF 20% 10V T/H | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash