RN2118MFV(TPL3)
RN2118MFV(TPL3)
Modello di prodotti:
RN2118MFV(TPL3)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
52126 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RN2118MFV(TPL3).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:VESM
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-723
Altri nomi:RN2118MFV(TPL3)CT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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