RN2106ACT(TPL3)
RN2106ACT(TPL3)
Modello di prodotti:
RN2106ACT(TPL3)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
56136 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RN2106ACT(TPL3).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:CST3
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:RN2106ACT(TPL3)TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):80mA
Email:[email protected]

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