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RN1101ACT(TPL3)
- Modello di prodotti:
- RN1101ACT(TPL3)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38732 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- RN1101ACT(TPL3).pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CST3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max: | 100mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-101, SOT-883 |
| Altri nomi: | RN1101ACT (TPL3) RN1101ACT(TPL3)TR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RN1101ACT(TPL3)
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