RMCF1210FT26R7 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per RMCF1210FT26R7, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per RMCF1210FT26R7 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista RMCF1210FT26R7 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
RMCF1210FT26R7
- Modello di prodotti:
- RMCF1210FT26R7
- fabbricante:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Descrizione:
- RES SMD 26.7 OHM 1% 1/2W 1210
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 54103 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.RMCF1210FT26R7.pdf2.RMCF1210FT26R7.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - ca: | - |
| Tensione - Lavoro: | 0.5W, 1/2W |
| Tensione - Ripartizione: | 1210 |
| Spessore (max): | ±100ppm/°C |
| Dimensioni / Dimension: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Serie: | RMCF |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polarizzazione: | 1210 (3225 Metric) |
| Altri nomi: | RMC 1/4 26.7 1% R RMC1/426.71%R RMC1/426.71%R-ND RMC1/426.7FR RMC1/426.7FR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 155°C |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RMCF1210FT26R7 |
| Altezza - In sede (max): | 0.028" (0.70mm) |
| Caratteristiche: | Automotive AEC-Q200 |
| FIFO di: | 2 |
| Descrizione espansione: | 26.7 Ohm ±1% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 1210 (3225 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | ±1% |
| Descrizione: | RES SMD 26.7 OHM 1% 1/2W 1210 |
| Rivestimento, tipo di alloggiamento: | Thick Film |
| Larghezza di banda: | 26.7 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RMCF1210FT26R7
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico