RM332730 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per RM332730, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per RM332730 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista RM332730 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
RM332730
- Modello di prodotti:
- RM332730
- fabbricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descrizione:
- RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 230V
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 50274 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- RM332730.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Attiva tensione (max): | 184 VAC |
| Tensione di disattivazione (min): | 69 VAC |
| Stile di terminazione: | Plug In, Quick Connect - 0.187" (4.7mm) |
| Tensione di commutazione: | 440VAC - Max |
| Serie: | RM, SCHRACK |
| Tipo di relè: | General Purpose |
| imballaggio: | Tray |
| Altri nomi: | 9-1393149-4 |
| temperatura di esercizio: | -45°C ~ 55°C |
| Tipo montaggio: | Socketable |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Caratteristiche: | Mechanical Indicator, Test Button |
| Descrizione dettagliata: | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 230VAC Coil Socketable |
| Contatti (Current): | 10A |
| Materiale del contatto: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Modulo di Contatto: | 3PDT (3 Form C) |
| Tensione della bobina: | 230VAC |
| Tipo di bobina: | Non Latching |
| Resistenza bobina: | 8.3 kOhms |
| Potenza bobina: | 2.3 VA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per RM332730
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico