RJK0629DPE-00#J3
Modello di prodotti:
RJK0629DPE-00#J3
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55174 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RJK0629DPE-00#J3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-LDPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 mOhm @ 43A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-83
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 85A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Ta)
Email:[email protected]

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