RGW60TS65DGC11
RGW60TS65DGC11
Modello di prodotti:
RGW60TS65DGC11
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55156 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RGW60TS65DGC11.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.9V @ 15V, 30A
Condizione di test:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:37ns/114ns
di scambio energetico:480µJ (on), 490µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247N
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):92ns
Potenza - Max:178W
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
carica gate:84nC
Descrizione dettagliata:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N
Corrente - collettore Pulsed (Icm):120A
Corrente - collettore (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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