RFD16N05LSM
Modello di prodotti:
RFD16N05LSM
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
42859 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RFD16N05LSM.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250mA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:47 mOhm @ 16A, 5V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione dettagliata:N-Channel 50V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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