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RF301BGE2STL
- Modello di prodotti:
- RF301BGE2STL
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 21319 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- RF301BGE2STL.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 930mV @ 3A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252GE |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 25ns |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | RF301BGE2STLCT |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 150°C (Max) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 80 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252GE |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 10µA @ 200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 3A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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