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R6030425HSYA
- Modello di prodotti:
- R6030425HSYA
- fabbricante:
- Powerex, Inc.
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 21246 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R6030425HSYA.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 2V @ 800A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 400V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-205AB, DO-9 |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 1µs |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -45°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Chassis, Stud Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 400V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 50mA @ 400V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 250A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per R6030425HSYA
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
R6025FNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | Inchiesta |
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R6030ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | Inchiesta |
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R6024KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247 | Inchiesta |
 |
R6030825HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | Inchiesta |
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R6030435ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB | Inchiesta |
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R6024KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM | Inchiesta |
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R6030222PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB | Inchiesta |
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R6024KNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF | Inchiesta |
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R6025ANZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | Inchiesta |
|
R6030622PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB | Inchiesta |
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R6030422PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB | Inchiesta |
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R6030235ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB | Inchiesta |
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R6030625HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB | Inchiesta |
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R6030ENZ1C9 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | Inchiesta |
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R6030635ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB | Inchiesta |
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R6030225HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB | Inchiesta |
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R6030835ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB | Inchiesta |
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R6025FNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | Inchiesta |
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R6030ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF | Inchiesta |
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R6030822PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB | Inchiesta |
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